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半導體產品主要分為四大類：集成電路、光電器件、分立器件、傳感器。

    一、集成電路

集成電路可細分為4類：模擬芯片、微處理器、邏輯芯片、存儲器。

1.模擬芯片：模擬芯片指由電阻、電容、晶體管組成，用于處理連續形式信號（如聲音、光、溫度等）的集成電路，是連接物理世界與數字世界的橋梁，作為處理外界信號的第一關，從全球模擬芯片終端應用領域看，其廣泛應用于無線通信、汽車、工業、消費電子、電腦等領域，下游應用市場分布復雜。常見的有：電源管理芯片、信號鏈芯片和射頻芯片，其中電源管理芯片是模擬芯片最大的細分市場，是所有電子產品和設備的電能供應中樞和紐帶，具有應用范圍廣、細分品類眾多的特點，包括AC/DC轉換器、LDO（低壓差線性穩壓器）、LED驅動器、馬達驅動器、電源監控器、過流保護、過壓保護等。信號鏈芯片是連接物理世界和數字世界的橋梁，負責對模擬信號進行收發、轉換、放大、過濾等，產品主要包括線性產品、轉換器產品、接口產品三大類。

2.微處理器：由一片或少數幾片大規模集成電路組成的中央處理器。這些電路執行控制部件和算術邏輯部件的功能。微處理器能完成取指令、執行指令，以及與外界存儲器和邏輯部件交換信息等操作，是微型計算機的運算控制部分。它可與存儲器和外圍電路芯片組成微型計算機。根據應用領域，微處理器大致可以分為三類：通用高性能微處理器、嵌入式微處理器/數字信號處理器、微控制器。

3.邏輯芯片：(Programmable Logic Device，PLD)也稱可編程邏輯器件，PLD是做為一種通用集成電路產生的，他的邏輯功能按照用戶對器件編程來確定。邏輯芯片總伴著邏輯電路，基本上是由與門、或門和非門電路組合而成的。PLD芯片屬于數字類型的電路芯片，而非模擬或混合信號(同時具有數字電路與模擬電路)芯片。常見的有CPU（中央處理器）、GPU（圖像處理器）、ASIC（專用處理器）與FGPA（現場可編程門陣列）等。

3.1. CPU：由運算、控制、存儲三個單元組成，是計算機操作與控制的核心，最早出現于1971年，是為最廣泛使用的計算機系統主控芯片，應用于個人PC機與數據終端服務器。

3.2.GPU：相對CPU，GPU舍棄了部分控制單元，擁有更多的計算單元（即運算器），因此可以高密度執行大量同質化數據運算，而CPU由于具備更多的存儲單元和控制單元，因此更適合進行復雜運算。在功能上，GPU可以視為CPU的巨大補充。

3.3.ASIC：(Application Specific Integrated Circuit)即專用集成電路，是指應特定用戶要求和特定電子系統的需要而設計、制造的集成電路。 用CPLD（復雜可編程邏輯器件）和 FPGA（現場可編程邏輯門陣列）來進行ASIC設計是最為流行的方式之一，它們的共性是都具有用戶現場可編程特性，都支持邊界掃描技術，但兩者在集成度、速度以及編程方式上具有各自的特點。

3.4.FGPA：（Field Programmable Gate Array）是在PAL （可編程陣列邏輯）、GAL（通用陣列邏輯）等可編程器件的基礎上進一步發展的產物。它是作為專用集成電路（ASIC）領域中的一種半定制電路而出現的，既解決了定制電路的不足，又克服了原有可編程器件門電路數有限的缺點。

4.存儲器：半導體存儲器，是電子數字設備種用來存儲的主要部件，在整個集成電路市場中有著非常重要的地位。存儲器能夠存儲程序代碼來處理各類數據，也能夠在存儲數據處理過程中存儲產生的中間數據和最終結果，是當前應用范圍最廣的基礎性通用集成電路產品。

依據存儲芯片的功能、讀取數據的方式、數據存儲的原理大致區分為易失性存儲器(VolatileMemory)和非易失存儲器(Non-volatileMemory)，非易失存儲器在外部電源切斷后仍能夠保持所存儲的內容，讀取速度較慢但存儲容量更大，主要包括EEPROM、FlashMemory(閃存芯片)、PROM(可編程只讀存儲器”)、EPROM(可擦除可編程只讀存儲器)等。易失性存儲分為DRAM和SRAM。

二、光電器件：光電器件的種類很多，但其工作原理都是建立在光電效應這一物理基礎上的，種類主要有: 光電管、光電倍增管、光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管、光電池、光電耦合器件等。

三、分立器件：晶體二極管、三極管、晶體管

1.晶體二極管：固態電子器件中的半導體兩端器件。這些器件主要的特征是具有非線性的電流-電壓特性。此后隨著半導體材料和工藝技術的發展，利用不同的半導體材料、摻雜分布、幾何結構，研制出結構種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極管。制造材料有鍺、硅及化合物半導體。晶體二極管可用來產生、控制、接收、變換、放大信號和進行能量轉換等。

2.三極管：也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導體器件。其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號，也用作無觸點開關。三極管是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種。晶體三極管（以下簡稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用最多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極管，（其中，N是負極的意思（代表英文中Negative），N型半導體在高純度硅中加入磷取代一些硅原子，在電壓刺激下產生自由電子導電，而P是正極的意思（Positive）是加入硼取代硅，產生大量空穴利于導電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下面僅介紹NPN硅管的電流放大原理。對于NPN管，它是由2塊N型半導體中間夾著一塊P型半導體所組成，發射區與基區之間形成的PN結稱為發射結,而集電區與基區形成的PN結稱為集電結,三條引線分別稱為發射極e （Emitter）、基極b (Base)和集電極c (Collector)。

3.晶體管：一種固體半導體器件（包括二極管、三極管、場效應管、晶閘管等，有時特指雙極型器件），具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。

   四、傳感器：雖然傳感器在半導體產品中占比較少，但它也有著不可忽視的巨大作用。外界的光線、溫度、氣味等存在的變化都需要傳感器來收集。